
蚀刻角度是指刻蚀过程中,刻蚀方向与表面法线之间的夹角。理想的蚀刻角度接近90°,即垂直于表面,但实际情况中,蚀刻角度通常是倾斜的,形成锥形结构。
影响因素
1.射频功率:在ICP-RIE刻蚀过程中,射频功率对蚀刻角度有显著影响。增大ICP-source的功率会增加等离子体浓度,导致化学作用增强,从而使侧壁角度变小;增大偏置电源的功率会增加正离子的动能,物理轰击增强,使侧壁角度更陡直。
2.基板旋转:在角度蚀刻系统中,基板的旋转角度也会影响蚀刻角度。通过调整基板的旋转角,可以控制光栅的倾斜角。
实际应用
垂直角度:垂直角度适用于高密度互连的要求,可以避免锥形角度带来的空间浪费。
锥形角度:锥形角度在填孔工艺中更为有效,可以降低填孔难度。
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